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作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
继第一代Ge、Si为代表的半导体材料、第二代GaAs、InP为代表的化合物半导体材料之后,以GaN与SiC为代表的第三代半导体材料已成为当......
Ga2O3有五种同分异构体:α,β,γ,δ,ε,这几种结构中,最稳定的是β异构体。与第三代半导体典型代表GaN材料(禁带宽度:3.4 eV;击穿......
