线宽增强因子相关论文
太赫兹量子级联激光器(THz-QCL)是用于实现自混合干涉的半导体激光器。利用自混合干涉效应,实验测量了THz-QCL频谱、线宽增强因子......
采用解析方法,在考虑材料损耗和色散的情况下,详细研究了无啁啾高斯脉冲和啁啾高斯脉冲在半导体光放大器中传输的物理过程,分析了......
分析了SOA线宽增强因子α及交叉增益调制对干涉仪输出功率的影响，指出在SOA中由于交叉增益调制和交叉相位调制并存，干涉仪的两臂输出......
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.......
半导体激光器增益谱和线宽增强因子是直接评估器件质量的关键参数,可以直接反应器件结构和材料优劣。本文首先针对器件样品A测试器......
随着视频流媒体等新业务的不断涌现,对网络带宽的需求以超摩尔定律的速度迅速增长,基于超大容量高速光传输和光交换的全光网络已经......
光网络中光信号的传输速率以及处理速率越来越高，对光电子器件提出了更高的要求。光电子器件朝着多功能、低功耗和集成化的方向发展......
线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光......
本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准......
