绝缘体上的硅相关论文
We demonstrate a sub-nanosecond electro-optical switch with low crosstalk in a silicon-on-insulator (SOI) dual-coupled m......
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和......
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题，提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点，对抑制自加热效应原理进行了新的解析，根......
研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应......
设计和分析了一种基于SOI（绝缘体上的硅）脊型波导非对称马赫曾德尔结构的集成矢量和微波光子移相器。对于10 GHz的微波信号,设定非对......
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压......
利用梯度折射率（GRIN）介质对高斯光束在出射端面聚焦的特性，研究了对称GRIN介质中单模SOI平面波导的耦合效率特性。对于同一入射波长......
介绍了SOI／Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象，利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚，键合电流越小，键合波扩散......
提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结......
期刊
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第......
SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外......
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括S......
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构.利用漂移区槽氧和栅、漏场板优......
由于在低阻Si衬底上制作微波无源器件的损耗极大,且衬底电阻率越低,损耗越大,且所制作的Si器件的工作频率受到了限制,因此几乎无法......
