绝缘层上硅相关论文
提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB）。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～573K......
期刊
研究了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件阈值电压的解析模型,并采用计算机模拟,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度......
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移KSOI横向高压器件，借助二维器件仿真器M......
首先介绍了体硅ＭＯＳ器件在２５～３００℃范围高温特性的实测结果和分析，进而给出了薄ＳＯＩ ＭＯＳ器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析，最后介绍了国际......
单片智能功率芯片因其低损耗与小体积等优势,广泛应用于各类电机驱动与电源应用中。绝缘体上硅型横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon ......
随着工艺尺寸的缩减,体Si（硅）材料的缺点逐渐暴露出来,成为制约集成电路性能的主要因素。s SOI（绝缘体上应变硅）是一种在SOI顶层Si中引......
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台......
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻.计算沟......
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD......
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维......
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来......
期刊
最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。......
兼有SOI技术和应变硅技术优点的sSOI绝缘层上应变硅)技术是一种很具创新和竞争力的新技术,不仅显著提高了载流子迁移率,而且消除了......
SOI(Silicon On Insulator，绝缘层上硅)硅片用于制造集成电路具有高速、低功耗、集成度高等优势。SIMOX(Separate by Implant Oxyge......
SOI（Silicon on Insulator）是指绝缘体上的硅。随着超大规模集成电路向纳米工艺的推进，芯片制造业遇到了前所未有的技术挑战，其中体硅......
