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静电放电（Electro static Discharge,ESD）对人类来说是一种随处可见的现象,通常可以通过接触带静电物体产生,是人类生活中的一个小惊......
随着先进半导体制造技术的不断发展,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）逐渐成为集成电路可靠性的主要威胁,所以研究出有效且合......
随着科技的进步和发展,汽车电子、手机、超薄笔记本电脑以及智能家居等一系列电子产品已经出现在了人们日常的生活中,也使得高压工......
静电放电 （ESD） 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数，但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频（RF）性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
静电放电(Electro Etatic Discharge,ESD)已成为集成电路产品失效的一个主要原因,随着工艺技术的进步,器件的特征尺寸越来越小,芯......
随着制造工艺尺寸的缩小和电路复杂度的提升,静电放电(ESD)对集成电路(Integrated circuit,IC)芯片的影响愈发不容忽视,业界每年由......
针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR.通过多MOS管组成的旁......
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑......
为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDM......
针对双向可控硅（DDscR）在特征尺寸不断缩小的集成电路中，难以达到窄小静电放电（EsD）设计窗口的ESD防护需求，设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR......
单元结构和维持电压对ＡＣ－ＰＤＰ的性能有非常大的影响。依据国内外研究人员所做的相关实验，全面总结了这两方面因素对表面放电型ＡＣ－ＰＤＰ光电特性的影......
对驼峰自动化系统设备防雷存在的问题进行探讨,并提出解决方法,简单分析了驼峰自动化系统设备防护和普通信号传输设备防护的区别。......
建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型.由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因......
以绝缘栅型场效应管（MOSFET）作为开关元件的独立式单路微细电化学加工脉冲电源在脉间存在维持电压，使得微细电化学加工的散蚀增加，导致......
对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持......
使用AC—PDP宏放电单元测试了AC—PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响。结果表明，Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会......
为了降低五电极交流等离子体显示板(AC PDP)的维持放电电压,提出了一种新的触发驱动方法.该方法利用2个辅助间隙内放电过程相互独......
为了改善彩色交流等离子体显示器(AC-PDP)的性能,采用静态测量法研究了维持电压脉冲幅度和频率对彩色AC-PDP着火电压、熄火电压、......
为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉......
静电放电(Electro-Static Discharge,简称ESD)是一种生活中常见的自然现象。在集成电路领域,静电放电会引起集成电路各种失效问题,......
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)作为一种常见的自然现象,对芯片的可靠性造成了严重的影响。随着半导体工艺技术的发展,器......
电火花加工作为目前应用最为广泛的零件加工方法之一,尤其是在模具加工和航空航天等领域具有广泛的应用。电火花加工是一个受多因......
根据气体放电特性和交流等离子体显示器的放电单元结构,提出了AC-PDP等效电路模型和表征该模型的3个特性参量:击穿电压、气体维持......
高压(high-voltage,HV)集成电路已经广泛应用于开关电源、电源管理、汽车电子产品以及驱动电路等应用上,这使得越来越多便携式消费......
学位
对PDP维持电极间插入带电辅助电极的新单元放电特性进行了模拟研究,并与传统的长间隙放电单元的模拟结果做了比较.模拟结果表明:新......
LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中。但是在ESD事件来临时,其维持电......
半导体行业是国家发展的重要支撑,随着半导体产业的不断发展,芯片的可靠性面临着新工艺、新尺寸带来的一系列问题,其中占比最严重......
1.蓄电池充电的方法蓄电池的充电分恒流充电(充电时维持电流不变)和恒压充电(充电时维持电压不变)两大类.恒压充电是将许多电压相......
用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极......
提出一种以电火花放电加工技术对半导体硅材料进行铣削加工的方法,建立了半导体放电加工电路模型,测量了半导体放电加工放电通道的......
基于0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件。通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了......
本文针对低压5V CMOS工艺中SCR(可控硅)静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点,在传统简单SCR的基础上,设计了一种新器件结构,......
针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压......
静电放电(ESD)对集成电路(IC)及电子产品的影响日益不容忽视。随着Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺的快速发展与高压IC应用领域的扩大,......
学位
静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)是影响集成电路可靠性的原因之一。所以需要对集成电路进行有效的ESD防护。本文先对基本的......
基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效......
静电放电（ESD）已成为影响现代集成电路（IC）可靠性的最主要因素之一。随着电子产品日益便携化、小型化和系统集成化，片上ESD防护更能适应......
低电压触发的可控硅器件LVTSCR具有低触发特性,被广泛应用于静电放电(ESD)防护领域。为了避免LVTSCR在工作时发生闩锁效应和潜在失......
电火花加工在制造业的应用日益广泛,但对火花放电的研究很大一部分集中在机床设计、工艺分析等应用领域,对其放电原理分析较少,特......
随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小,集成电路日益向小型化和高密度化发展,很容易遭受到静电放电(ESD)的影响。......
随着微电子技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸日益减小，静电放电(ESD,Electro-StaticDischarge)现象逐渐成为影响器件可靠性的重......
