通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少......

研究了掺Ce对SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷......

研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非......

研究了掺CeO2对SnO2·Co2O3·Ta2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205......

研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%......

研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响.掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(p=6.82 g/cm3),最......