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耗尽层厚度相关论文
亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM模型参数提取
随着半导体器件的尺寸不断减小,短沟道效应和漏致势垒下降效应等次级物理效应不断增强,严重影响了器件性能,给器件和电路的仿真模......
学位
MOSFET电势模型
短沟道效应
平均误差
边界条件
耗尽层厚度
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