表面势相关论文
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布......
当前,微波/毫米波器件及其电路日益凸显出其在产业应用中的重要地位,已经成为微电子技术研究的热点。随着微电子技术的发展,对器件......
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新......
随着现代内燃发动机效率的提高,发动机轴承正面临越来越大的挑战.取决于驾驶情况,例如,燃料高效起动-仃机系统,增加了发动机的起仃......
针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并......
上篇论文(Ⅺ)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(Ⅻ)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形......
报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的......
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈......
在研究器件建模和粒子群优化算法的基础上,提出了基于粒子群优化算法的器件模型表面势求解,从而建立整套模型参数。在粒子群优化算......
为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂......
针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形......
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）多晶硅耗尽效应加剧问题，提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型．通过求解......
针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显，以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响......
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中......
显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提......
目前集约建模的趋势是由基于阚值电压的模型转向基于表面势的模型，而后者需要一个对非线性Pao-Sah电压方程的精确解，作为隐含数方程，P......
以吉布斯吸附等温式积分式为基础,数学推证表面势的表达式,并应用表面势的数学表达式探求了一种测算电解质溶液活度系数的新方法.......
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计......
提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数......
在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂......
本文利用薄层电荷理论，建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon Thin-Film Transistors，poly-Si TFTs）的电流模......
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在......
提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的......
为了解决隧穿场效应晶体管（TFET）在强反型区表面势和漏电流精度下降的问题,建立了一种考虑可移动电荷影响的双栅TFET电流模型。首先......
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、......
跟非晶硅（amorphous Silicon,a-Si）、多晶硅（ploy-Silicon,poly-Si）和有机薄膜晶体管相比,金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin Film......
该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法......
采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFETs）的亚阈值特性，即正则摄动法，由于在纳米MOSFETs中，常用的耗尽近似和页......
通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能......
针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来......
随着多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFTs)制造工艺简单、成本低廉,且具有较好的电学特性,在有源液晶显示器、三维立体集成电路、大容量存储......
目前,在智能系统的集成电路设计及其器件制备技术领域,计算机模拟已成为不可缺少的工具,可用于帮助工程设计者预测电路与器件工作......
高性能氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)广泛地应用在以AMOLED为代表的大面积平板显示领域,是相关产业的底层共性技术与核心技术......
针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通......
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展，及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量......
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly—SiTFTs）的电流和电容分析模型．采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随......
对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析，将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阂值电压．考虑......
固体氧化物燃料电池（SOFC）阳极材料得失电子能力和氧扩散性能影响其催化性能。对Ni0体积含量分别为20％和40％的NiO／La2Mo2O9复合材料（N／L28......
考虑到有机薄膜晶体管（OTFT）带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似......
基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念......
