衬底偏置相关论文
随着集成电路工艺总功耗比重的逐渐增大,衬底偏置电压及衬底偏置早已成为低功耗集成电路设计中需要考虑的首要问题.在工艺和温度条......
随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管......
文中提出了一种新型的5.17GHz CMOS压控振荡器(VCO),该VCO采用提高品质因子Q的电容反馈技术。该VCO能够在不需要额外衬底偏置电压......
为了补偿温度变化对滤波器频率响应造成的漂移,提出了一种全差分运算放大器,该运算放大器采用电压负反馈方式稳定输出共模电平,调......
利用衬底偏置技术和折叠级联输入的方法，采用SMIC 0．18μm CMOS工艺，解决了在0．8V电源电压下输入管和开关管的“堆叠”问题，实现了一种......
射频前端电路是无线通信系统中的关键模块,发展低成本、高性能的射频集成电路已是一种必然趋势。射频收发机中的功率放大器是整个......
随着当前5G通信技术的到来,毫米波通信技术成为新的研究热点,高频锁相环(PLL)作为毫米波通信中必不可少的部件,也受到越来越多的关......
SRAM在SoC芯片中所占面积的比例日益增大,而低功耗SoC要求睡眠模式下SRAM能够保持数据,导致SRAM的漏电功耗成为睡眠模式下SoC功耗......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种工作在0.6 V超低电源电压下的混频器.该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构,并......
当前，随着尖端科技的不断发展和人们环保意识的逐渐增强，对火箭燃烧产物、汽车尾气和工业废气等一系列高温有害气体的监测要求越来越......
本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器。在0......
讨论衬底偏置MOS管的工作原理,对其低压特性进行了分析和仿真。并基于CMOS衬底偏置技术,设计了两级CMOS运算放大器。在0.6μm CMOS......
近年来,随着亚微米、深亚微米技术的发展和系统芯片技术的日益成熟,集成电路在集成度和性能方面不断获得提高;与此同时,系统复杂程......
对于普通CMOS工艺中容易产生的衬底偏置效应,基于dickson电荷泵原理,本文采用了一种栅交叉耦合的方式来选择相应PMOS管的衬底电压,......
正交压控振荡器广泛应用于无线收发机中,为其提供本振信号源。功耗和相位噪声是振荡器的两项非常重要的指标,功耗的高低直接影响设......
设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比（PTAT）的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈......
基于一种新型时钟延时单元,设计了一种片上存储器的位线。在不增加版图面积的前提下,通过周期性地改变保持管的衬底偏置电压,减小......
