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研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面......
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN 肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后......
氮化镓(GaN)半导体材料是第三代宽禁带化合物半导体材料的重要代表之一。它及其相关合金系Al-In-Ga-N所具有的宽带隙范围，优良的光......
