量子阱激光器相关论文
In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD), we design ......
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz～20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、......
本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最......
关联光子对源是量子光学信息处理中的重要资源,已经被应用于量子密钥分发、量子计量、量子模拟。目前,量子信息技术要求器件小型化......
随着器件尺寸的不断缩小，一个限制硅基互连电路的最主要问题就是电互连。为了能够增加集成电路中互连线的密度、降低互连所消耗的能......
采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰......
文章介绍了光电显示技术 ,光通信用光电子器件 ,高密度光存储技术和量子阱激光器的国内外进展情况 .
The paper introduces the p......
锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体,其光电物理性质独特?内涵丰富. 锑化物材......
应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器，对可能组分......
在环境温度和工作电流下,对808 nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退......
本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有......
本文研究了二极管激光器空间应用的可靠性。对量子阱激光器（AlGaAs／GaAsP808nm）做加速寿命试验，在超过10000h后，对不同应力状态下的120......
对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
介绍了一个量子阱激光器计算机辅助分析系统MQWCAD，它是一种新 型的多模块交互访问式自洽系统，集成了能带工程计算、异质结激光器二......
本文对大功率量子阱激光器的大信号调制特性进行了参数分析。首先对量子阱激光器的传输带宽进行了对比。在不同宽度的光限制层的条......
通过分析GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的交叉饱和特性作了理论上的计算与分析.并给出了TE和TM模自身交叉与相互交......
用电子束反应蒸发法制备了的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ－Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０＾３ｃｍ＾－１降低到可以忽略的程度，ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的光学带......
初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构，利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP／InP量子阱激光器外延片，引入腔破坏......
采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率．采用开环分布孔代替环形沟槽，使器件的输出功率提高了0．34倍．14μm孔径的器......
利用MOCVD生长了14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片.采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实......
在小信号理论的研究基础上，本文对量子阱半导体激光器的大信号调制响应特性进行了研究。大信号调制下的非线性增益效应使得速率方程......
在硅基上成功地制备出了1．55μm InP-InGaAsP量子阱激光器．设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料，通过直接键合技术，将Si衬底......
通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE......
使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发......
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,......
为改善940nm大功率InGaAs／GaAs半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结......
纳米光电子技术是一门新兴的技术，近年来越来越受到世界各国的重视，而随着该技术产生的纳米光电子器件更是成为了人们关汪的焦点。主......
由于半导体激光器具有直接调制特性,使其成为光通信领域的重要器件。激光器的响应特性决定了光通信系统的优劣,因此对激光器的工作......
【摘要】本文对大功率激光器的大信号调制特性进行了分析。由于激光的弛豫振荡行为，会产生瞬态响应。在不同宽度的光限制层的条件下......
随着社会的进步和科学技术的发展,人们对信息服务的需求越来越大,社会的运作和发展对信息的依赖性越来越强。智能光网络(ASON)、光......
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材......
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流......
把发射或者接收光信号的有源光子器件与无源波导器件(如分支器、耦合器、滤波器及光开关等)集成在单块半导体衬底上称为光集成(PIC......
在小信号理论的研究基础上，本文对量子阱半导体激光器的大信号调制响应特性进行了研究．大信号调制下的非线性增益效应使得速率方程求......
设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用......
本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz～ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明 :激光发射的......
本文报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并首次在该类激光器(Fabry-Perot腔激光器)中发现了单模工作特性,而且该......
本文研究了锑化物Ⅲ–Ⅴ材料和InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构的MBE生长,利用Hall、XRD、光致发光(PL)等测试仪器对材料特性进行表征......
量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分,它是半导体光电子集成的重要基础。现在,在光电子领域,人们着力于发展量子阱光电子......
1450nm波段的半导体激光器可用于激光测距、医疗、短途通信等系统。大功率半导体激光器阵列因其输出功率高、寿命长、转换效率高、......
近年来,“量子尺寸效应”及“人工微结构—超晶格”的概念与超精细薄层材料生长技术(MBE,MOCVD)的结合又产生了一系列的量子阱、超......
随着集成光学的发展,出现了越来越多的结构不同、功能各异的光波导器件。由于光波导器件是靠芯层和包层折射率以及结构上的微小差......
大功率半导体激光器在光通讯、医疗、印刷、激光制造和光泵浦等领域中有着广泛的应用前景。特别是现代战争中,大功率半导体激光器......
本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——......
