金属有机物化学气相外延相关论文
研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射......
期刊
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
铝镓氮(AlGaN)是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可以在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可......