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金属消特基势垒场效应晶体管相关论文
等平面化SiC MESFET的研制
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨......
期刊
碳化硅(SiC)
金属消特基势垒场效应晶体管
高增益
功率附加效率
大功率
等平面化
侧壁钝化
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