金属-氧化物-半导体场效应晶体管相关论文
相比于硅基绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）,碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的......
针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X......
用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而......
基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已......
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,......
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的MOSFET进行了沟道热载流子注入实验.研究了短沟MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系.......
在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率......
研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压......
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/I......
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中......
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n—MOS器件在衬底正偏压的Va=VD／2热载流子应力下，由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响......
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数......
首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSF......
在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,一些新的物理现象(如:栅极漏电增加、短沟道效应等)不断涌现。而栅极漏电的增加直接导致器件不能正......
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理.建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温......
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展，及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量......
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电......
传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的比例缩小到达20nm时，面临的不仅仅是技术上的困难，还有短沟道效应（short channel ......
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值......
器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、......
作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而......
场效应晶体管(FET)是一种电压控制型的半导体器件,以其制造简单,易于实现和性能稳定等优点,受到人们的关注,作为放大与整流器件运......
