铁电隧道结相关论文
存储器技术是我国战略性新兴产业集成电路的重要组成部分,其中忆阻器作为新型的信息存储技术之一,在新一代光电信息存储器和人工视......
铁电隧道结因具有高集成度、高读写速度、低读写功耗和非破坏性读出等优点引起了人们的极大关注,被视为下一代非易失性存储器的有......
钙钛矿氧化物异质结一直以来都广泛吸引着科学界的目光,这是因为人们有可能在它的基础上创造出各种奇异物性。在钙钛矿氧化物异质......
当前出现的冯·诺依曼瓶颈（CPU与内存之间巨大的发展差异）极大程度地限制了数据驱动应用的高效信息处理。人类的生物学大脑是一个具......
铁电材料因其具有优异的铁电性和压电特性等,引起了科学研究者的广泛研究。以超薄铁电材料为势垒的铁电隧道结因具有低能耗、非易......
忆阻的概念自1971年被提出至今已有近45年的发展历史。自2008年以来,忆阻器在仿生物突触方面的研究已取得很大进展,绝大多数研究工......
铁电隧道结是由上下电极及中间铁电势垒层构成的三明治结构，铁电隧道结根据不同铁电极化方向时隧道结所具有的不同隧穿电致电阻值实......
近年来,铁电材料因为它们在电子设备上的广泛应用,尤其是由铁电隧道结制备的纳米尺寸的传感器和非易失性存储器因为拥有高的存储密......
近年来，由于铁电材料在纳米电子器件中的潜在应用，掀起了对铁电材料研究的广泛兴趣，尤其是对铁电隧道结的研究。同时随着纳米薄膜制备......
讨论了一种可用于红外探测的有机铁电聚偏二氟乙烯材料结构、性能与应用方面的若干问题，包括结构及其衍生物、制备与性能、弛豫铁电......
纳米铁电容器结构称为铁电隧道结，可以利用铁电垒极化方向的不同而导致器件阻态差异作为记录信息的物理载体，电极和势垒之间的界面是......
铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结。从铁电隧道结的基本理论出发，针对势垒层和电极材料选取的角度详细......
采用脉冲激光沉积与磁控溅射技术制备Pt/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/Nb:SrTiO3铁电隧道结,研究环境温度对隧道结隧穿电阻效应的影响.结果表......
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钙钛矿氧化物是指具有天然钙钛矿ABO3结构的氧化物,本文通过对几种非常典型的钙钛矿氧化物的第一性原理研究,阐释了钙钛矿氧化物超......
随着集成电路技术和二维材料加工工艺的飞速进步,人们已经将传统半导体器件的特征尺寸缩小到纳米量级,尤其以台积电等国际大厂为代......
近二十年来,集成铁电存储器倍受关注。早期广泛研究的存储材料是钙钛矿结构的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜。然而PZT薄膜的疲劳问题严重,......
铁电存储器具有非挥发性、低功耗、高读写速率、高存储密度、优异的抗辐射等优点，在电子信息和国防等领域具有非常广阔的应用前景。......
采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb0. 2Zr0. 8Ti O3（PZT）/SrRu O3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与......
