计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命，结果表明，低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过......

高分辨光谱用ＩｎＡｓＳｂ／ＩｎＡｓＳｂＰ注入式激光器１．引吉建造在３～４μｍ光谱区振荡的、具有窄光谱线（Ａλ／λ≈１０－７）的频率平稳可调注入式激光器，在目前看来是必要的。主要是......

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比A......

<正>鉴于军事电子装备在现代化战争中的重要性日益提升,近年来,军事电子科技与工业发展备受各国关注。2018年,国外军事电子科技与......