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锗硅源漏相关论文
应变PMOS器件阈值电压及其可靠性的模拟研究
应变硅技术通过采用适当的工艺或材料在MOS器件的沟道中引入应力,改变硅的能带结构、电导有效质量以及载流子的散射概率,提高载流......
学位
应变硅
PMOS
锗硅源漏
阈值电压
可靠性
模拟
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