ITO（Indium Tin Oxide）是锡掺杂的氧化铟,是一种高简并、重掺杂的n型半导体氧化物,因其具有一系列优良的电学、光学以及化学等性能,......

ITO(Tin-dopedIndiumOxide)和ATO(Antimony-dopedTinOxide)膜由于其低电阻率、高可见光透射率、与玻璃基体结合牢固、抗擦伤、良好......

由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形......

以纳米碳酸钙为核体，用聚电解质对其表面改性后，采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟（ITO）包覆的碳酸钙基浅色导电粉。通过改变聚电解......