非晶硅薄膜晶体管相关论文
作为开关元件和驱动电路，非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT）被广泛应用于有源矩阵液晶显示领域。本文对a-Si：H TFT电学特性进行系统研究；基于......
当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。......
介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中......
研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管.分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析......
非晶硅薄膜晶体管（Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT）具有器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示的优点,是平板......
设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法.应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过......
分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性，提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值，讨论了高显示性......
介绍了近年来出现的各种新型非致冷红外探测器,对不同探测器的基本工作原理、器件结构、制作工艺以及性能的优缺点进行了讨论和对......
近年来,PLED(聚合物发光二极管)和a-Si TFT(非晶硅薄膜晶体管)技术取得了巨大进展,两者的结合有望成为未来平板电视的主流.三星与......
针对非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的实际结构,提出了两种计算红外吸收率的数学模型,并结合光学导纳矩阵法研究了它的光学特性.......
基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT-IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外......
利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明：漏电流随着掺杂......
自从1947年半导体晶体管发明以来,半导体集成电路产业发展迅猛,氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)形成了我们现在主流的Si-TFT技术......
台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm~2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一......
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（a-Si TFT-LCD）现已成为笔记本电脑、液晶电视等高像质显示终端的主导技术，目前，它的制造技术在国外已比较......
高性能氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)广泛地应用在以AMOLED为代表的大面积平板显示领域,是相关产业的底层共性技术与核心技术......
为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备......
分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性,讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺、存储电容以......
TFT-LCD集成栅极驱动器技术是指用液晶基板的薄膜晶体管来实现像素的栅极驱动电路。采用该技术的液晶显示器可以节省栅极驱动IC,具......
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效......
本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中，Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速......
介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,......
基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在......
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器是21世纪继LCD之后最具发展前景的新型显示器。OLED的有源驱动方式......
非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT)具有制程温度低、器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示......
