非晶碳化硅相关论文
由于碳化硅薄膜具有很多优良的物理、化学性质和广泛的应用前景，对其生长机制和制备方法的研究一直是物理学和材料学领域的重要内容......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长......
利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下，制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光......
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4（80％Ar稀释）和CH4气体流量比R（R......
本文以硅烷、乙炔和氢气为气源,采用热丝CVD法制备了非晶碳化硅薄膜。通过FITR、紫外-可见光分光光度计、四探针仪、台阶仪和霍尔......
本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合......
氢化非晶碳(a-C：H)和氢化非晶碳化硅(a-Si1-χCχ:H)薄膜在室温条件下均具有较强的发光性能,因此有潜力作为各种发光器件的发光层材......
纳米硅量子点由于量子限制效应等带来的特殊的物理性质和优异性能,在硅基发光器件和太阳能电池中有着潜在的应用前景。特别是镶嵌......
为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效......
