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InP基高电子迁移率场效晶体管（HEMT）具有电子迁移率高，噪声低，功耗低以及增益高等优点，在国防航天和卫星雷达等空间应用中具有极大的潜......
对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失......
对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75k......
首先描述了移位损伤的机理及其影响器件性能的机制,引入了适合航天器工程抗辐射加固设计使用的 移位损伤剂量模型,探讨了其在CCD器......
