非辐射复合相关论文
基于金属卤化物的钙钛矿光伏电池（PSCs）具有较大的光吸收系数、长的载流子扩散距离以及较低的制备成本等优势，在过去十几年来得到了研......
受有机阳离子热稳定性的影响，有机无机杂化钙钛矿薄膜在制备过程中表面会存在大量的缺陷，对器件的光电转换效率（PCE）和湿度稳定性十分......
铅卤钙钛矿太阳能电池因其优良的光电转换效率以及相对低廉的制备成本而受到广泛关注。然而铅卤钙钛矿太阳能电池的长期稳定性限制......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池（Perovskite Solar Cells,PSCs）以其优异的光电性能引起了全世界的关注。然而,大多数报道的高效PSCs......
钙钛矿太阳能电池因其优异的光电性能成为了目前研究热点，但是目前广泛采用的钙钛矿多晶离子晶体薄膜多是基于溶液处理工艺制备的，这......
点缺陷对半导体的光学和电学性质有重要的影响,因此缺陷的调控对基于半导体的光电器件的性能优化尤为关键。当前,实验上有许多手段......
为在新型太阳能电池等先进光电器件中成功应用ZnO纳米柱阵列,需要以高沉积速率生长ZnO纳米柱,并能够对纳米柱的形貌与光电物理性质......
通过半导体光电化学分解水途径,可以把太阳能转化为氢气化学能,实现多种潜在应用。Fe_2O_3具有较小的禁带宽度(～2.0 e V)、合适的价......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
根据现有的材料参数，计算了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
近年来半导体激光器(LD)的应用和性能的提高令人注目。目前激光器行业中,多数产品都是半导体激光器,其以效率高,结构紧凑寿命长等......
半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS......
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流......
比较了蓝光LED和LD的辐射量子效率随电流密度变化的趋势。LED在低电流密度时具有很高的辐射量子效率,并且在电流密度为24.4A/cm~2......
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电......
近年来,随着世界各国的能源危机的出现,科学家们逐渐把目标转移到新的能源利用设备上,有机太阳能电池自从问世以来就受到学术界的......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池由于其高吸光系数、低载流子束缚能、长的载流子寿命,被认为是非常有潜力商业化的第三代太阳能电池......
对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间......
为实现GaAs表面的钝化，以Na2S、（NH4）2S、CH3CSNH2为主要研究对象，通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光（PL）谱研究......
以InGaN材料作为有源区制备的氮化物基发光器件,其发光波长可以覆盖整个可见光范围,具有丰富的市场需求与广袤的应用前景,如发光二......
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN......
为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉......
用阴极射线致发光（CL）法、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系．结果表明，GaN外延层......
采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤（COD）阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形......
介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法。减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化；采用......
受不可逆损失的影响,热光伏能量转换器件在高品位热能回收与利用方面受到限制.本文揭示不可逆损失来源,提供热光伏能量转换器件性......
为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制......
应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载......
<正>基于Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族无机半导体材料的发光二极管(LED),属于点光源,被广泛应用于仪表显示和生活照明;以有机电致发光二极管(O......
本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发,应用了文献(13)所提出的深能级引起......
电子传输层(ETL)在钙钛矿太阳能电池中起着传输电子、阻挡空穴的作用。我们系统研究了二氧化锡(SnO2)单层电子传输层、二氧化钛(Ti......
研究了InGaN蓝光LED量子效率随注入电流的变化关系,当注入电流还未达到额定电流时,LED量子效率就随着注入电流增加而快速降低。通......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,......
本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型：量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子－空穴对能量增高与电子－空穴对通过纳米硅粒以外......
用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６......
