高压器件相关论文
在新能源革命的背景下,功率半导体器件电压等级不断提高。由于现阶段封装设计缺乏系统的理论指导,功率半导体更高的耐压水平使器件......
GaN因具有宽禁带、高饱和电子速度和良好的热导率等优点而被视为制作高压高重频超快光电导开关（photoconductive semiconductor swi......
本文简要介绍玻璃钝化技术的基本原理和优越性。重点介绍采用熔凝玻璃作为高频高压硅堆的钝化层和兼作外形封装材料的工艺过程,工......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
功能性电刺激作为一种神经接口技术如今被广泛应用于瘫痪病人肌肉运动功能的恢复和再造。小型便携化、高效低功耗、可植入、对病人......
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包......
随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的......
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700伏.本文借助二维器件模拟软件MEDI......
首次提出一种新的具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件(DCI SOI)。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓......
提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅（Silicon—on—insnlator，简称SOI）高压器件之瓶颈，经过多年研究，总结出了SOI高压器件介质场增强（Enhanc......
针对绝缘体上硅（SOI）器件较低的纵向耐压，提出一种基于衬底偏压（SB）的部分SOI（PSOI）横向高压器件新结构。在衬底偏压的作用下，部分漏端电场......
本文介绍一种新型的高压器件表面造型技术，即容差阶梯台面腐蚀技术。它是在耦．耗尽刻蚀的基础上发展起来的。它利用耗尽刻蚀克服电场......
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDD......
基于0．18gm高压n型DEMOS（drain extended MOS）器件，报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验，结果发现器件电......
描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列（FPGA）匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μ......
研制了两种薄膜SOI高压MOSFET，一种是一般结构，另一种是新的双漂移区结构．两者的栅宽均为760μm，有源区面积为8．58×10^-2mm^2，测试......
本文研究了一种新型的不对称五电平逆变器的电路拓扑,并分析了其采用的混合调制策略.基于文中所提方案,快速器件和高压器件能协调......
应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼......
SOI技术被誉为21世纪的硅集成技术.文章综述了SOI材料的特点与制备、高压功率器件的最新发展动态,以及相关的高压功率驱动集成技术......
利用RESURF与场板结构结合的技术，设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD—MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60pm，就可实现600V以上的......
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构......
结终端扩展（JTE）技术最早由A．K．Temple等人提出，其作用是控制高压器件的表面电场。最早的JTE为横向变掺杂技术将终端区分为多区，靠近主结......
速调管是一种基于真空管电子技术的微波放大器．其功放的散热量很大，尤其在夏季高温、高湿的环境中极易产生高压器件故障，因此要做好维......
<正> 一、引言 集成电路超大规模、超高速、高可靠以及功率集成等前沿课题研究的深入,使SOI材料的开发一直成为人们十分重视的领域......
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<正>本文就VD-MOS350型功率场效应晶体管的结构及主要技术参数的设计、工艺的设置进行了讨论.作者采用双扩散、离子注入、多晶硅自......
EEPROM存储系统中常采用电荷泵来实现高压和负压,在辐照环境中由于辐照对某些高压器件及电路的影响,可能导致电荷泵产生的电压出现......
设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分......
功率集成电路是集成电路的重要分支，作为一个系统的控制部分(弱电)和执行部分(强电)的桥梁，它在电力电子、自动控制、家电通信、汽车......
介绍目前使用较为广泛的几种高压变频器在风机水泵类负载中的应用及特点和优缺点。...
分析了利用多次外延／离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS（〉650V）的准饱和现象，与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现......
期刊
表面造型的准确性对晶闸管正反向耐压的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆｔｈｅＡｃｃｕｒａｃｙｏｆＴｈｙｒｉｓｔｏｒＳｕｒｆａｃｅＣｏｎｔｏｕｒｉｎｇｏｎＩｔｓＦｏｒｗａｒｄａｎｄＲｅｖｅｒｓｅＶｏｌｔａｇｅＷｉｔｈｓｔａｎｄｉｎｇＣａｐａｂｉｌｉｔｙ￥／／湖.........
氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
<正>半导体高压器件设计、制造技术的新发展使得高压、功率集成电路的实现成为可能.最近新出现的所谓“智能功率集成电路”便是一......
高压CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件与普通CMOS器件相比存在较多电性设计要求和工艺尺寸上的差异,其电性参数......
柔性透明电子器件是可穿戴设备及物联网中的核心元器件,以低成本的方式获得稳定可靠且高性能的柔性透明电子器件和电路是实现新一......
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶......
以高压器件工艺为基础的芯片在驱动IC、电源管理、开关控制方面的应用越来越广泛,高稳定工艺可以带来高良率,从而使制造成本降低。......
本课题依据国家科技重大专项“02专项-极大规模集成电路制造技术及成套工艺”的子课题-“SOI工艺平台下器件的表征与分析”的要求......
市场对器件低功耗,小体积,功能集成化的需求越来越高,使得功率器件与集成电路结合形成的功率集成电路的迅速发展成为一种必然。横......
近年来,等离子显示器PDP由于其出色的显示效果已经成为高清电视等高清显示设备的主流产品之一。目前限制PDP显示设备普及的主要因......
早期的系统板上功率输出器件和逻辑控制部分是分离的,通过印刷电路板(PCB)连接在一起,不仅功耗过大,集成度很低,同时可靠性也差。......
随着集成电路飞速发展和集成电路制造工艺水平的提高,芯片的集成度越来越高,同时也对新的集成电路设计和制造提出了更高的要求,其......
本文主要阐述了一种AC-PDP寻址驱动芯片的的设计。彩色AC-PDP在21世纪信息显示领域具有广阔的市场和应用前景。经过多年的发展，AC-P......
SOI（Silicon on Insulator）技术能为智能功率集成电路SPIC（Smart PowerIC）提供理想的介质隔离，并正在成为下一代低功耗高速集成电路的主......
随着半导体集成电路工艺技术的发展,集成电路芯片越来越容易受ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)问题的影响。目前,工业界大......
