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高斯态密度相关论文
有机半导体的物理掺杂理论
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)......
期刊
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度
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