高电源抑制比相关论文
低压差线性稳压器（Low dropout regulator,LDO）是电源管理芯片的重要组成部分,具有结构简单、功耗低、噪声小的特点,能够为后级负载......
基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路.采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积.采用新型可变电阻方......
针对复杂电气环境如汽车电子,宇航电力电子系统以及生物医疗设备等输入电压变化剧烈的系统,高压电源管理芯片作为一种有效的解决方......
介绍了一种宽带高电源抑制比的LDO结构。首先对传统采用运放结构的LDO难以满足PSR与运放增益带宽积的折中问题进行了分析,然后分析......
全MOS电压基准源因其兼容CMOS工艺、可在低压情况下高效高性能地工作等优点,被广泛应用于数模混合电路。然而,在系统应用中电路较......
科技飞速发展的今天,人们对于便携式电子产品的集成化程度要求越来越高。在电子产品小型化趋势下,芯片面积不断地被缩减,芯片的工......
随着5G通信技术的飞速发展,电源管理逐渐成为一个备受关注的领域。低压差线性稳压器(low-dropout linear regulator,LDO)作为一种......
近年来,随着物联网、智能家居、人工智能等技术的发展,便携式电子产品越来越多的进入了人们的视野,逐渐成为了生活中必不可少的产......
摘要：提出了一種具有宽输入范围、高电源抑制比(PSRR)的带隙基准电路的设计方法。它由自偏置电路、两级预调整电路、带隙基准核心电......
简介rn音频电路、PLL、RF收发器、DAC以及其它许多器件都对噪声非常敏感,因此如果采用开关电源进行供电的话,可能难以保持正常工作......
基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值......
设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优......
介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计。提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的......
设计了一种高电源抑制比的基准电压源，分别针对基准电压VREF和电源电压VDD设计了负反馈电路，使VREF和VDD的波动能够得到快速的反馈抑......
提出了一种使用有源电感的电路实现方案,可用于宽带无线收发机射频放大电路的设计中。分析了有源电感的阻抗与各元件取值的关系,设......
提出一种基于耗尽型晶体管与增强型晶体管串联产生基准电源的无运算放大器结构电路。通过将两个基准电源电路级联,可以获得较好的......
基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC、DAC、SOC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。......
针对某雷达频率综合器锁相环电路、RF收发器、DAC对电源噪声非常敏感,若直接采用开关电源供电,将造成电路性能大幅度下降的问题,采......
随着半导体工艺的日益发展,片上系统芯片(System On Chip,SOC)对电源管理电路的要求也日益提高,当各个模块集成在同一芯片上后,信......
随着消费类电子产品的发展,手机、平板、笔记本电脑和智能手环等已经成为生活中不可或缺的一部分。电源管理芯片在电子设备系统中......
在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带......
介绍了一种运用于混合信号电路的带隙基准电压源电路。电路采用共源共栅结构的高增益运算放大器,提高了电源抑制性能,运用曲率补偿......
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有......
设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比 （PSR） 无片外电容CMOS低压差线性稳压器 （LDO）.基于对全频段电源抑制比的详细分析, ......
基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比......
本文以传统的带隙基准电压源为基本架构,采用一次温度补偿技术实现低温度系数,同时设计时还增加了启动电路,提高全频带的PSRR电路,......
本文针对传统带隙基准功耗高、电源抑制比低的问题,提出了一种适用于能量采集、无线传感网络等的低功耗、高电源抑制比和宽电源电......
光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能......
基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1V电源电压,通过将MOSF......
由于片上系统向着多功能和大规模集成的方向发展,对于芯片内电源管理模块的性能需求越来越高,作为电源管理系统中的一员,低压差线......
基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路，提高电路的整体电源抑制......
从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电......
设计一种基于0.35μm 2P4M CMOS工艺,具有高电源抑制比、快速负载瞬态响应特性的低压差线性稳压器电路。该电路通过采用缓冲运放来......
文章设计的是一款低功耗、高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)。该低压差线性稳压器通过采用一种低功耗、高电源抑制比的......
文章提出了一种采用标准CMOS工艺，基于不同阈值器件的阈值差原理实现的超低功耗电压基准电路。电路实现了213mV的低基准电压输出，在......
随着集成电路行业和半导体应用技术的发展,电源管理技术得到了业界广泛的关注和研究。通过对电源管理技术的研究,使用各种方法来降......
提出了一种基于基极电流补偿的具有低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电压源结构,通过消除三极管基极电流对基准输出电压温度系......
设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪......
低压差线性稳压器(Low-Dropout Regulator,LDO)作为电源管理芯片中重要的一部分,具有结构简单,体积小,输出噪声低,响应速度快等优......
在数模混合及模拟集成电路中,基准源作为数据转换器中的重要模拟单元电路始终是未来的研究热点,本文给出了三种应用于1.8V电流舵D/......
本文提出一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该基准源的核心电路结构由传统的Brokaw带隙基准源和一个减法器构成......
随着集成电路尺寸的不断减小和半导体制造工艺的迅速发展,为了保证整个系统的优良性能,具有高精度和高电源抑制比的基准电压源几乎......
在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内（-50~150℃......
随着手机、掌上电脑等电子产品及集成电路系统的高速发展,电源管理芯片在集成电路领域展现出越来越为重要的作用。低压差线性稳压......
当温度或者电源电压VDD发生变化时,带隙基准电压源的输出电压几乎不发生变化。这一优良的性能使带隙基准在很多电路模块中发挥着重......
环形振荡器在射频识别技术、无线传感网络和短距离传输以及测量等邻域应用日益广泛,本文利用环形振荡器易于片上集成,可输出多相时......
