本研究基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti......

在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p—AlGaN层上生长了Ni／Au和Pd／Au，并在600—850℃温度下进行快速热退火，测量其退火前后传输线模型......

本论文通过MOCVD生长手段,通过一系列实际的生长和测试实验,在蓝宝石衬底上异质外延了高Al组分的AlxGa1-xN外延层,并且针对多种缓......