利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子......

InP是一种优良的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它广泛应用于微波毫米波器件领域。高电子迁移率晶体管（HEMT）是基于异质结调制掺杂发展起......