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Anti-MoS2结构相关论文
二维Anti-MoS2结构Tl2S的电子与光学性质——第一性原理研究
利用第一性原理方法详细研究了Tl2S的电子与光学性质。计算结果表明:单层Tl2S是1种宽禁带的间接带隙半导体(带隙为1.98eV),价带顶附近......
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Anti-MoS2结构
Tl2S
第一性原理
电子与光学性质
紫外线
Anti-MoS2 structure T12S first-principles ele
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