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Bi4Ti3O12及AB位掺杂相关论文
    Bi4Ti3O12陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究
    测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实......
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    介电损耗 Bi4Ti3O12及A/B位掺杂 弛豫峰

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