Cu镀层相关论文
电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电......
本论文围绕多层膜Co/Cu的电化学制备进行了一些相关的基础研究.制备了高择优取向的Cu镀层做为制备多层膜的基底;研究了Cu和Co电结......
研究了添加剂聚乙二醇（PEG）、氯离子（Cl^-）和电流密度对Cu的电沉积过程的影响,着重探讨了制备（110）晶面全择优取向Cu镀层的电沉积条件及......
研究了1-4丁炔二醇和乙二胺作为添加剂对在离子液体1-甲基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐中电沉积Cu的影响。紫外可见光吸收光谱结果表明......
采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(22......
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目前,先进封装技术已成为延续摩尔定律的有效手段之一。在先进封装中,微尺度焊点（高度低于30μm）已被广泛使用。对于Cu/Sn/Cu结构微......
利用化学镀在AZ80镁合金表面制备了Cu镀层和Cu-Ti O2复合镀层,通过XRD、SEM和EDS对镀层的成分和形貌进行了分析,并在3.5%Na Cl溶液......
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采用电化学、X射线衍射和扫描电镜方法研究酸性镀铜过程中添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构和表面形貌的影响.结果表明,采用......
研究了化学镀Cu对金刚石性能的影响。结果表明,在金刚石表面化学镀Cu,可提高金刚石的强度,氧化温度和热稳定性,并随化学镀时间的增......
