FP-LPAW方法相关硕士博士期刊学术论文

氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.2 eV）Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。但是,实现AlN材料在光电器件上的......