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GaN纳米管相关论文
氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下......
期刊
GaN纳米管
ZnO/Ga2O3薄膜
射频磁控溅射
氮化
GaN nanotubes ZnO/Ga2O3 films r. f. magnetron sputt
GaN纳米管和纳米带的结构稳定性及其电子性质的第一性原理研究
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,是一种重要的宽带隙半导体材料,具有优良的光电特性和稳定的物理特性,是当今世界上最为先......
学位
GaN纳米管
GaN纳米带
第一性原理方法
稳定性
电子结构
磁性
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