基于4英寸（1英寸=2.54 cm）亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺，采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底，研制了一款W波段功率放大器单片......

GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件受制于陷阱效应，建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型（ASM-H......

进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新......