ITO透明导电膜相关论文
ITO(Indium Tin Oxide)膜为体心立方铁锰矿型结构的多晶体,为n型半导体薄膜材料,其半导化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)半导......
ITO透明导电膜具有良好的电学和光学性能，在高新技术等领域有广泛的应用。传统的制备方法包括直流磁控溅射法、化学气相沉积法、喷......
溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法.实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺-低压反应离子镀方......
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透......
采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可......
以聚乙烯基吡咯烷酮为分散剂制备了氧化铟锡(ITO)溶胶,通过涂布的方式将其制备成ITO透明导电膜,考察了不同热处理温度及表面粗糙度......
用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9∶1。运用分光光度计、四探针测......
利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧......
理论研究了有ITO(indiumtin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能,给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层......
利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度......
采用阴极磁控溅射法制备用于电磁屏蔽的 ITO透明导电膜 ,方块电阻在 5～ 40 Ω/□范围内。测试不同方块电阻膜层的电阻率、膜厚、可......
