LOPC模相关论文
在4H-SiC(0001)衬底上,使用CVD法生长不同掺杂浓度的外延层。将不同掺杂浓度的4H-SiC外延层,用拉曼散射光谱进行了研究。使用Matlab......
半导体材料的纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)能够提供材料电学方面的相关信息。本文在室温下测得了n型4H-和6H—SiC的拉曼......
碳化硅(SiC)属于第三代宽禁带半导体材料,是重要的间接带隙半导体之一,具有优异的物理特性和电学特性。因而,SiC电子器件非常适合......