La系高k栅介质相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

La系高k栅介质相关论文

La-基高K栅介质Ge MOS器件制备及栅极直接隧穿电流模型

为了在等比例缩小器件特征尺寸的同时,保持高的电流驱动能力和开关速度,传统的SiO2栅介质被高k材料替代,高迁移率沟道材料取代了Si......

学位

Ge MOS器件 La系高k栅介质界面特性表面钝化层直接隧穿电流

La2O3高k材料生长与总剂量辐照特性研究

随着集成电路尺寸的缩小,高k材料替代SiO2作栅氧已成为一种必然趋势。多年来,人们尝试了多种介电常数高于传统SiO2的材料,例如Al2O......

学位

La系高k栅介质 ALD淀积 XPS ISE TCAD 总剂量辐照

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