MESFET微波功率器件是金属-半导体场效应晶体管，它有GaAs和GaN基器件，由于其优良的迁移率以及优异的高频、大功率、低噪声性能，越来越......

近年来，SiC功率半导体器件因其具有极好的电特性和物理性质而成为半导体界争先研究的热点项目之一。论文对目前SiC的多型体中综合性......

Trapping of hot electron behavior by trap centres located in buffer layer of a wurtzite phase GaN MESFET has been simula......

科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W，频率为3．1—3．5GHz之......

用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明......