NMOS器件相关论文
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施......
超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以......
对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的......
静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）严重影响当今微电子器件的可靠性,使用静电放电防护器件是提高电路ESD可靠性的一种重要途径......
介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型。以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了N......
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.......
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈......
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器......
集成电路特征尺寸发展到90nm工艺时,栅介质层的厚度将至2nm以下,栅氧化层仅有几个原子层的厚度。在器件的栅电场强度不断增加情况......
