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Ni1-x-uGexCy合金薄膜相关论文
Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结......
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金属材料
Ni1-x-uGexCy合金薄膜
化学气相淀积(CVD)
metallic materials
Si1-x-yGexCy alloy film
c
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