P-MOSFET相关论文
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出......
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出......
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SO......
电力场效应管（Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET）是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳......
可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介......
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结......
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结......
在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进......
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明：随着器件工......
低压差稳压电源以低功耗、高效率、低噪声、低干扰、体积小、重量轻等显著特点,深受人们的青睐,本文首先介绍了基于P-MOSFET的低压......
针对电源设备或化学电池的测试需要,以STM32F103单片机为控制核心,外围采用16位A/D、12位D/A以及功率MOSFT设计了一种简易的高精度......
