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Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜相关论文
衬底剥离的PbZr0.2Ti0.8O3薄膜与AlGaN/GaN HEMT异质集成研究
GaN基异质结器件是利用AlGaN势垒层对GaN的应力作用,由逆压电效应使界面能带弯曲,产生二维电子气(2DEG)层。而AlGaN/GaN异质结构中......
学位
衬底剥离
Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜
PZT/AlGaN/GaN HEMT
铁电极化效应
二维电子气
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