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21世纪以来,为了满足更快和更大容量的信息传输,光通信技术得到迅猛发展。因而,研制能够完全覆盖850、1310和1550nm三个通信窗口的......
随着超大规模集成电路集成度的不断增加，晶体管的单元尺寸持续的缩小。晶体管工艺流程发展到了纳米节点以下，线宽效应、短沟道效应等......
硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义......
采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低......
对自行研制的超高真空化学气相外延设备（RHT／UHV／CVDSGE500）的气路系统进行了改进，使之能够生长出较好的Ge分布图形。利用X射线双晶衍射......
