SiGe量子点相关硕士博士期刊学术论文

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si／SiGe量子点／隧穿氧化层／多晶硅栅多层结构，该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制．......