Si1-x-yGexCy薄膜相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

Si1-x-yGexCy薄膜相关论文

离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy ......

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Si1-x-yGexCy薄膜离子注入固相外延

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