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p型氮化镓栅源桥相关论文
P型栅增强型GaN HEMT器件研究
得益于GaN材料优越的电学特性,GaN基元器件能够实现传统Si基器件难以企及的高击穿电场、高输出功率密度和低开关功率损失,其应用领......
学位
氮化镓
铝镓氮
高电子迁移率晶体管
增强型
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