形变势相关论文
‘半导体的绝对形变势是描述材料某一能级位置(比如价带顶和导带底) 相对于体积形变的关系，这是描述半导体中电声相互作用的一个重......
采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质.讨论......
利用形变势模型分析了单层碳纳米管中的电子和长波声学声子的相互作用,并且利用费米黄金规则计算了金属单层碳纳米管的电子弛豫时......
近年来，磁场中极性晶体表面极化子的性质已引起人们的广泛关注。arsen[1]采用四级微扰法计算了磁场中二维极化子的基态能量。wei等[......
为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX2（其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te）型二维半导体载流子有效质量、带隙以及......
基于形变势理论,本文将声学声子、光学声子以及压电效应（1H结构）对载流子的散射考虑在内,得到了对二维单层材料迁移率较为精准的近似......
本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的......
