TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用

来源 :2004年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaotao_8730

【摘要】

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液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特

【作者】

：

刘振淮史舸王文卫王文

【机构】

：

麦斯克电子材料有限公司(洛阳)

【出处】

：

2004年中国材料研讨会

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

工艺特性硅片封闭技术薄膜沉积使用安全性厚度均匀性硅酸乙酯二氧化硅应用液态速率硅源

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液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积SiO<,2>薄膜的主流工艺.本文主要阐述了TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用.

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