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本文对一种高功率BCD工艺中的VDMOS器件进行了优化设计。通过综合考量高功率BCD工艺中各种器件设计之间的制约与兼容性，并借助软件仿真，对VDMOS器件的相关参数，包括埋层上扩特征长度、多晶栅长及JFET区注入等进行优化，得到了满足器件设计要求的最优值。
高功率BCD工艺中的VDMOS器件设计
【摘 要】
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本文对一种高功率BCD工艺中的VDMOS器件进行了优化设计。通过综合考量高功率BCD工艺中各种器件设计之间的制约与兼容性，并借助软件仿真，对VDMOS器件的相关参数，包括埋层上扩特征长度、多晶栅长及JFET区注入等进行优化，得到了满足器件设计要求的最优值。
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会
【发表日期】
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2009年3期
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