【摘 要】
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本文通过对HBT的VBIC模型参数提取的研究,提取了一套InGaP/GaAs功率管的VBIC模型参数。依据InGaP/GaAs HBT功率特性,简化了VBIC拓扑结构,特别考虑了寄生对提参建模的影响。对
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本文通过对HBT的VBIC模型参数提取的研究,提取了一套InGaP/GaAs功率管的VBIC模型参数。依据InGaP/GaAs HBT功率特性,简化了VBIC拓扑结构,特别考虑了寄生对提参建模的影响。对器件Ⅰ-Ⅴ特性和100MHZ～15.1G频率范围的S参数进行了测试和建模,结果表明,本提取方法改进了参数提取的效率和精度,对InGaP/GaAs功率管的小信号特性有较好的表征。
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