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本文简述了Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的原理及方法.在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜.讨论了薄膜的物理和化学性质,结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途.
Hg敏化光CVD—SiO2薄膜的研究
【摘 要】
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本文简述了Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的原理及方法.在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜.讨论了薄膜的物理和化学性质,结果表明:光CVD技术在半导体低温化工
【机 构】
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西北电讯工程学院;
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1988年02期
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